Electron transport through rectifying ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Electron transport through rectifying self-assembled monolayer diodes on silicon : Fermi level pinning at the molecule-metal interface
Auteur(s) :
Lenfant, Stephane [Auteur]
Guérin, David [Auteur]
Tran Van, F. [Auteur]
Chevrot, C. [Auteur]
Palacin, Serge [Auteur]
Bourgoin, J.P. [Auteur]
Bouloussa, O. [Auteur]
Rondelez, F. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guérin, David [Auteur]
Tran Van, F. [Auteur]
Chevrot, C. [Auteur]
Palacin, Serge [Auteur]
Bourgoin, J.P. [Auteur]
Bouloussa, O. [Auteur]
Rondelez, F. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Physical Chemistry B
Pagination :
13947-13958
Éditeur :
American Chemical Society
Date de publication :
2006
ISSN :
1520-6106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :