Contribution à l'étude de l'épitaxie par ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés
Auteur(s) :
Dhellemmes, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2006
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :