Active properties of carbon nanotube ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements
Auteur(s) :
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Siligaris, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Borghetti, Jean-Sébastien [Auteur]
Service de physique de l'état condensé [SPEC - UMR3680]
Derycke, Vincent [Auteur]
Service de physique de l'état condensé [SPEC - UMR3680]
Bourgoin, Jean-Philippe [Auteur]
Service de physique de l'état condensé [SPEC - UMR3680]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Siligaris, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Borghetti, Jean-Sébastien [Auteur]
Service de physique de l'état condensé [SPEC - UMR3680]
Derycke, Vincent [Auteur]
Service de physique de l'état condensé [SPEC - UMR3680]
Bourgoin, Jean-Philippe [Auteur]
Service de physique de l'état condensé [SPEC - UMR3680]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Pagination :
335-342
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2006-07
ISSN :
1536-125X
Mot(s)-clé(s) en anglais :
CNTFETs
Scattering parameters
Hafnium
Carbon nanotubes
Self-assembly
FETs
Microwave measurements
Pulse measurements
Nanolithography
Silicon
Scattering parameters
Hafnium
Carbon nanotubes
Self-assembly
FETs
Microwave measurements
Pulse measurements
Nanolithography
Silicon
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
AC performances of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) are analyzed by means of scattering parameters measurements. The active ac properties of CNT-FETs are clearly demonstrated up to 80 MHz and indications ...
Lire la suite >AC performances of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) are analyzed by means of scattering parameters measurements. The active ac properties of CNT-FETs are clearly demonstrated up to 80 MHz and indications of active behavior are obtained up to 1 GHz. From these measurements, a small signal equivalent circuit is proposed and validated up to 10 MHz. The extraction procedure and the determination of the intrinsic ac elements of CNT-FETs are pointed out.Lire moins >
Lire la suite >AC performances of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) are analyzed by means of scattering parameters measurements. The active ac properties of CNT-FETs are clearly demonstrated up to 80 MHz and indications of active behavior are obtained up to 1 GHz. From these measurements, a small signal equivalent circuit is proposed and validated up to 10 MHz. The extraction procedure and the determination of the intrinsic ac elements of CNT-FETs are pointed out.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :