Acceptor states in GaAs studied by X-STS at 5K
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Acceptor states in GaAs studied by X-STS at 5K
Auteur(s) :
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mahieu, G. [Auteur]
Deresmes, D. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Ebert, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mahieu, G. [Auteur]
Deresmes, D. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Ebert, P. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques, STM'05
Ville :
Sapporo
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2005
Date de publication :
2005
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :