Electric force microscopy of individually ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Electric force microscopy of individually charged semiconductor nanoparticles
Auteur(s) :
Diesinger, Heinrich [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Barbet, Sophie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Barbet, Sophie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Trends in Nanotechnology, TNT 2005
Ville :
Oviedo
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2005-08-29
Date de publication :
2005
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Charge injection experiments by electrostatic force microscopy are performed on single semiconductor nanoparticles. Different methods of detecting the stored charge are used. Although the amount of charge stored in particles ...
Lire la suite >Charge injection experiments by electrostatic force microscopy are performed on single semiconductor nanoparticles. Different methods of detecting the stored charge are used. Although the amount of charge stored in particles of realistic shape can be determined quantitatively, we present here a qualitative comparison between Q (V ) hysteresis curves observed on silicon and GaN quantum dots, in dry nitrogen and in ultra high vacuum. For silicon dots in dry atmosphere, we find a hysteresis behavior entirely different from the one observed on GaN dots in ultra high vacuum. The contribution of interface states to hysteresis is discussedLire moins >
Lire la suite >Charge injection experiments by electrostatic force microscopy are performed on single semiconductor nanoparticles. Different methods of detecting the stored charge are used. Although the amount of charge stored in particles of realistic shape can be determined quantitatively, we present here a qualitative comparison between Q (V ) hysteresis curves observed on silicon and GaN quantum dots, in dry nitrogen and in ultra high vacuum. For silicon dots in dry atmosphere, we find a hysteresis behavior entirely different from the one observed on GaN dots in ultra high vacuum. The contribution of interface states to hysteresis is discussedLire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :