Direct evidence for shallow acceptor states ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Direct evidence for shallow acceptor states with nonspherical symmetry in GaAs
Auteur(s) :
Mahieu, G. [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.-P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stievenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, P. [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.-P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stievenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, P. [Auteur]
Titre de la revue :
Physical Review Letters
Pagination :
26407-1-4
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2005
ISSN :
0031-9007
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- http://juser.fz-juelich.de/record/44924/files/66555.pdf
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