Comparison between carried-induced optical ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Comparison between carried-induced optical index, loss variations and carrier lifetime in GalnAsP/InP heterostructures for 1.55 μm DOS application
Auteur(s) :
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
THALES [France]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
THALES [France]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
613-614
Éditeur :
IET
Date de publication :
2005
ISSN :
0013-5194
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures ...
Lire la suite >Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures have quaternary bandgap composition of λ g = 1.18 and 1.30 urn, and they were specially designed for 1.55 μm wavelength digital optical switch (DOS) applications. The Quo based heterostructure shows the best potential for high-performance DOS.Lire moins >
Lire la suite >Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures have quaternary bandgap composition of λ g = 1.18 and 1.30 urn, and they were specially designed for 1.55 μm wavelength digital optical switch (DOS) applications. The Quo based heterostructure shows the best potential for high-performance DOS.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :