High In content pseudomorphic InGaAs layers ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
High In content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)
Auteur(s) :
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pinsard, B. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pinsard, B. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth
Pagination :
516-520
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2005
ISSN :
0022-0248
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :