Tunable plasma wave resonant detection of ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Tunable plasma wave resonant detection of optical beating in high electron mobility transistor
Author(s) :
Torres, Jérémi [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Nouvel, P. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Akwoue-Ondo, A. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Nouvel, P. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Akwoue-Ondo, A. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
201101.1-201101.3
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2006
ISSN :
0003-6951
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Plasmas
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Plasmas
English abstract : [en]
We report on tunable terahertz resonant detection of two 1.55 µm cw-lasers beating by plasma waves in AlGaAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistor. We show that the fundamental plasma resonant frequency and its odd ...
Show more >We report on tunable terahertz resonant detection of two 1.55 µm cw-lasers beating by plasma waves in AlGaAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistor. We show that the fundamental plasma resonant frequency and its odd harmonics can be tuned with the applied gate-voltage in the range 75–490 GHz. The observed frequency dependence on gate-bias is found to be in good agreement with the theoretical plasma waves dispersion law.Show less >
Show more >We report on tunable terahertz resonant detection of two 1.55 µm cw-lasers beating by plasma waves in AlGaAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistor. We show that the fundamental plasma resonant frequency and its odd harmonics can be tuned with the applied gate-voltage in the range 75–490 GHz. The observed frequency dependence on gate-bias is found to be in good agreement with the theoretical plasma waves dispersion law.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
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