Titre :

High performance InP-based heterostructure barrier varactors in single and stack configuration

Auteur(s) :

Lheurette, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salzenstein, Patrice [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Electronics Letters

Pagination :

1417-1418

Éditeur :

IET

Date de publication :

1996

ISSN :

0013-5194

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Autre

Résumé en anglais : [en]

Single (SHBV) and dual (DHBV) heterostructure barrier varactors with AlAs/In0.52Al0.48As bolocking conductionlayers have been fabricated and characterized. The devices, whose electrical properties scale with layer complexity, ...
Lire la suite >Single (SHBV) and dual (DHBV) heterostructure barrier varactors with AlAs/In0.52Al0.48As bolocking conductionlayers have been fabricated and characterized. The devices, whose electrical properties scale with layer complexity, exhibit, for a DHBV scheme, leakage currents as low as 10 A/cm² at 12V, a zero bias capacitance of 1 fF/micro m², and capacitance ratio of 5:1.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Commentaire :

E. Lheurette, P. Mounaix, P. Salzenstein, F. Mollot and D. Lippens, "High performance InP-based heterostructure barrier varactors in single and stack configuration", Electronics Letters, 18th July 1996, 32, N°15, pp. 1417-1418

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL