Why do (2x4) GaAs and InAs (001) surfaces ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Why do (2x4) GaAs and InAs (001) surfaces exposed to phosphorus have so different strain behavior ?
Auteur(s) :
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Priester, Catherine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gehin, Thomas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Priester, Catherine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gehin, Thomas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
1060-1062
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2002
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :