Étude du pouvoir thermoélectrique de couches ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Étude du pouvoir thermoélectrique de couches de polysilicium dopées N et P de 20 à 450 °C
Auteur(s) :
Aithammouda, Malika [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ziouche, Katir [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haffar, Mehdi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godts, Pascale [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Leclercq, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ziouche, Katir [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haffar, Mehdi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godts, Pascale [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Leclercq, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Éditeur(s) ou directeur(s) scientifique(s) :
Alexandre Vautier, Sylvie Saget
Titre de la manifestation scientifique :
MajecSTIC 2005 : Manifestation des Jeunes Chercheurs francophones dans les domaines des STIC
Organisateur(s) de la manifestation scientifique :
IRISA – IETR – LTSI
Ville :
Rennes
Date de début de la manifestation scientifique :
2005-11-16
Date de publication :
2005-11-16
Mot(s)-clé(s) :
microcapteurs
flux thermique
pouvoir thermoélectrique
tension Seebeck
polysilicium
microtechnologie.
microtechnologie
flux thermique
pouvoir thermoélectrique
tension Seebeck
polysilicium
microtechnologie.
microtechnologie
Discipline(s) HAL :
Informatique [cs]/Autre [cs.OH]
Résumé :
L'objectif de cette étude est de mettre au point des microthermocouples en polysilicium dopé dont le pouvoir thermoélectrique est pratiquement indépendant de la température de 20 à 450 °C. Cette caractéristique est ...
Lire la suite >L'objectif de cette étude est de mettre au point des microthermocouples en polysilicium dopé dont le pouvoir thermoélectrique est pratiquement indépendant de la température de 20 à 450 °C. Cette caractéristique est indispensable pour réaliser des microcapteurs de flux thermique de sensibilité quasiconstante dans toute la gamme d'utilisation. Dans ce but des cellules thermoélectriques spécifiques ont été réalisées à partir de couches de polysilicium dopées N et P. Les dopants bore et arsenic ont été choisis car ils procurent des coefficients de température de signes opposés. Pour déterminer les valeurs idéales de dopage un système de mesure du pouvoir thermoélectrique en fonction de la température a été développé au laboratoire. Les caractéristiques des couches thermoélectriques réalisées sont présentées dans cet article.Lire moins >
Lire la suite >L'objectif de cette étude est de mettre au point des microthermocouples en polysilicium dopé dont le pouvoir thermoélectrique est pratiquement indépendant de la température de 20 à 450 °C. Cette caractéristique est indispensable pour réaliser des microcapteurs de flux thermique de sensibilité quasiconstante dans toute la gamme d'utilisation. Dans ce but des cellules thermoélectriques spécifiques ont été réalisées à partir de couches de polysilicium dopées N et P. Les dopants bore et arsenic ont été choisis car ils procurent des coefficients de température de signes opposés. Pour déterminer les valeurs idéales de dopage un système de mesure du pouvoir thermoélectrique en fonction de la température a été développé au laboratoire. Les caractéristiques des couches thermoélectriques réalisées sont présentées dans cet article.Lire moins >
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.inria.fr/inria-00000730/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.inria.fr/inria-00000730/document
- Accès libre
- Accéder au document
- https://hal.inria.fr/inria-00000730/document
- Accès libre
- Accéder au document
- document
- Accès libre
- Accéder au document
- 26.pdf
- Accès libre
- Accéder au document