[Invited]
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée
Titre :
Key features for high efficiency and highly robust mmW GaN HEMTs
[Invited]
[Invited]
Auteur(s) :
Pécheux, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defais, Tommy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defais, Tommy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
XIX International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, IWPSD 2017
Ville :
Delhi
Pays :
Inde
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-12-11
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298880/file/IWPSD_Medjdoub.pdf
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