GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts
[Invited]
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts
[Invited]
[Invited]
Author(s) :
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
TWHM 2017(12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics)
City :
Kirishima
Country :
Japon
Start date of the conference :
2017-08-28
Journal title :
TWMH2017
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :
Files
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298882/file/invited_TWHM_abstract.pdf
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- invited_TWHM_abstract.pdf
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