Influence of the gate leakage current on ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Influence of the gate leakage current on the noise performance of MESFETs and MODFETs
Author(s) :
Danneville, François [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut de recherche sur la biologie de l'insecte [IRBI]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut de recherche sur la biologie de l'insecte [IRBI]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
1993 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
City :
Atlanta
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
1993-06-14
Publisher :
IEEE
Publication date :
1993-06
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :