Gate current and 2D electron concentration ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1049/el:19880643
Title :
Gate current and 2D electron concentration in HIGFET and SISFET
Author(s) :
Depreeuw, D. [Auteur]
Godts, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zimmermann, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Journal title :
Electronics Letters
Pages :
944
Publisher :
IET
Publication date :
1988
ISSN :
0013-5194
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL