Ultra-thin dielectric insertions for contact ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Ultra-thin dielectric insertions for contact resistivity lowering in advanced CMOS: Promises and challenges
Auteur(s) :
Borrel, Julien [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Hutin, Louis [Auteur]
Kava, Donato [Auteur]
University of Texas [El Paso] [UTEP ]
Gassilloud, Rémy [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Bernier, Nicolas [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Morand, Yves [Auteur]
Nemouchi, Fabrice [Auteur]
Gregoire, Magali [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, Maud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Hutin, Louis [Auteur]
Kava, Donato [Auteur]
University of Texas [El Paso] [UTEP ]
Gassilloud, Rémy [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Bernier, Nicolas [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Morand, Yves [Auteur]
Nemouchi, Fabrice [Auteur]
Gregoire, Magali [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, Maud [Auteur]
Titre de la revue :
Japanese Journal of Applied Physics
Pagination :
04CB02, 7 pages
Éditeur :
Japan Society of Applied Physics
Date de publication :
2017-04
ISSN :
0021-4922
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this paper, in order to provide a comprehensive overview of the opportunities and limitations of the metal/insulator/semiconductor contacts approach, expected performance based on ideal contact simulations as well as ...
Lire la suite >In this paper, in order to provide a comprehensive overview of the opportunities and limitations of the metal/insulator/semiconductor contacts approach, expected performance based on ideal contact simulations as well as key practical aspects are presented. While the former give us a glimpse of the theoretical potential of this paradigm, mainly to contact nFETs, the latter highlights concerns about the electrical characterization of such contacts along with issues occurring during their physical implementation. (c) 2017 The Japan Society of Applied PhysicsLire moins >
Lire la suite >In this paper, in order to provide a comprehensive overview of the opportunities and limitations of the metal/insulator/semiconductor contacts approach, expected performance based on ideal contact simulations as well as key practical aspects are presented. While the former give us a glimpse of the theoretical potential of this paradigm, mainly to contact nFETs, the latter highlights concerns about the electrical characterization of such contacts along with issues occurring during their physical implementation. (c) 2017 The Japan Society of Applied PhysicsLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :