InAlAs/InGaAs-MSM photodetectors based on ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
InAlAs/InGaAs-MSM photodetectors based on optical cavity using metallic mirrors: THz frequency operation, high quantum efficiency and high saturation current
Author(s) :
Billet, Maximilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Bretin, Sara [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Bavedila, Fuanki [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Bretin, Sara [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Bavedila, Fuanki [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
161104
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2019-04-22
ISSN :
0003-6951
English keyword(s) :
ultrafast-photoconductors
THz photonics
MSM
optoelectronics
THz photonics
MSM
optoelectronics
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We present a metallic mirror-based resonant cavity-enhanced InAlAs/InGaAs metal-semiconductor-metal (InAlAs/InGaAs-MSM) photodetector driven by a 1550 nm wavelength illumination. The device shows a quantum efficiency higher ...
Show more >We present a metallic mirror-based resonant cavity-enhanced InAlAs/InGaAs metal-semiconductor-metal (InAlAs/InGaAs-MSM) photodetector driven by a 1550 nm wavelength illumination. The device shows a quantum efficiency higher than 30 %, a cutoff frequency higher than 100 GHz and a saturation current density above 40 kA/cm 2. As a proof of concept, we demonstrate the generation of 0.25 mW of continuous wave output power at a frequency of 100 GHz via the photomixing of an optical beatnote. This result underlines the potential of InAlAs/InGaAs-MSM for sub-THz and THz optoelectronics applications driven by telecom lasers.Show less >
Show more >We present a metallic mirror-based resonant cavity-enhanced InAlAs/InGaAs metal-semiconductor-metal (InAlAs/InGaAs-MSM) photodetector driven by a 1550 nm wavelength illumination. The device shows a quantum efficiency higher than 30 %, a cutoff frequency higher than 100 GHz and a saturation current density above 40 kA/cm 2. As a proof of concept, we demonstrate the generation of 0.25 mW of continuous wave output power at a frequency of 100 GHz via the photomixing of an optical beatnote. This result underlines the potential of InAlAs/InGaAs-MSM for sub-THz and THz optoelectronics applications driven by telecom lasers.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03324947/document
- Open access
- Access the document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03324947/document
- Open access
- Access the document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03324947/document
- Open access
- Access the document
- document
- Open access
- Access the document
- Version_HAL.pdf
- Open access
- Access the document
- Version_HAL.pdf
- Open access
- Access the document