Graphene field effect transistors with ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/DRC.2017.7999420
Title :
Graphene field effect transistors with optimized contact resistance for current gain
Author(s) :
Wei, W. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fazio, D. D. [Auteur]
Sassi, U. [Auteur]
Ferrari, A. C. [Auteur]
Pallecchi, Emiliano [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
75th Annual Device Research Conference, DRC 2017
City :
South Bend, IN, USA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2017-06-25
Book title :
2017 75th Annual Device Research Conference (DRC)
Publisher :
IEEE
Publication date :
2017
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL