Graphene field effect transistors on ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Graphene field effect transistors on flexible substrate : stable process and high RF performance
Author(s) :
Wei, Wei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Belhaj, Mohamed Moez [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centeno, Alba [Auteur]
Zurutuza, Amaia [Auteur]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Belhaj, Mohamed Moez [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centeno, Alba [Auteur]
Zurutuza, Amaia [Auteur]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
11th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2016
City :
London
Country :
Royaume-Uni
Start date of the conference :
2016-10-03
Book title :
2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
Publisher :
IEEE
Publication date :
2016
English keyword(s) :
Graphene
Logic gates
Substrates
Transistors
Fabrication
Performance evaluation
Radio frequency
Logic gates
Substrates
Transistors
Fabrication
Performance evaluation
Radio frequency
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We report a simple and low temperature fabrication process suitable for flexible substrate based graphene field effect transistors (GFETs). Transistors with 300 nm gate length and different channel width (12 mu m and 24 ...
Show more >We report a simple and low temperature fabrication process suitable for flexible substrate based graphene field effect transistors (GFETs). Transistors with 300 nm gate length and different channel width (12 mu m and 24 mu m) were successfully fabricated on Kapton substrate. We report asmeasured current gain cut-off frequency of 27 GHz and maximum oscillation frequency of 12 GHz. The high performance transistors with high yield in this work demonstrate the great potential of our full process for flexible GFETs.Show less >
Show more >We report a simple and low temperature fabrication process suitable for flexible substrate based graphene field effect transistors (GFETs). Transistors with 300 nm gate length and different channel width (12 mu m and 24 mu m) were successfully fabricated on Kapton substrate. We report asmeasured current gain cut-off frequency of 27 GHz and maximum oscillation frequency of 12 GHz. The high performance transistors with high yield in this work demonstrate the great potential of our full process for flexible GFETs.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :