Fatigue test on flexible graphene field ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Fatigue test on flexible graphene field effect transistors with bottom gate electrode
Auteur(s) :
Wei, Wei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fadil, Dalal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salk, Soukaina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fadil, Dalal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salk, Soukaina [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2018
Ville :
Philadelphia, PA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-06-10
Titre de l’ouvrage :
2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2018
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Logic gates
Fatigue
Graphene
Radio frequency
Transistors
Performance evaluation
Substrates
Fatigue
Graphene
Radio frequency
Transistors
Performance evaluation
Substrates
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Graphene is a promising candidate as channel material for flexible wearable radio frequency devices. In this work we fabricated double gate flexible graphene field effect transistors and characterized their DC and RF ...
Lire la suite >Graphene is a promising candidate as channel material for flexible wearable radio frequency devices. In this work we fabricated double gate flexible graphene field effect transistors and characterized their DC and RF performance. Moreover, we performed a fatigue test consisting on a 1000 times dynamical bending at 1 Hz. The banding radius was 40 mm, which correspond to a strain of 0.16%. The DC and RF characterization shows the device performance variation is around 10%. The finding demonstrates the robustness of our GFETs, further work will be needed to determine the physical mechanism that cause the performance change.Lire moins >
Lire la suite >Graphene is a promising candidate as channel material for flexible wearable radio frequency devices. In this work we fabricated double gate flexible graphene field effect transistors and characterized their DC and RF performance. Moreover, we performed a fatigue test consisting on a 1000 times dynamical bending at 1 Hz. The banding radius was 40 mm, which correspond to a strain of 0.16%. The DC and RF characterization shows the device performance variation is around 10%. The finding demonstrates the robustness of our GFETs, further work will be needed to determine the physical mechanism that cause the performance change.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :