Optimising GaN heterostructures for 5G
Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Optimising GaN heterostructures for 5G
Author(s) :
Behet, Markus [Auteur]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Book title :
Compound Semiconductors, 26, 1
Publication date :
2020-01
English keyword(s) :
GaN
RF devices
RF devices
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Combining AlN or InAlN barriers with SiN passivation layers leads to exceptional performance for GaN RF devices, regardless of the choice of substrate.Combining AlN or InAlN barriers with SiN passivation layers leads to exceptional performance for GaN RF devices, regardless of the choice of substrate.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Oui
Source :