Optimising GaN heterostructures for 5G
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Optimising GaN heterostructures for 5G
Auteur(s) :
Behet, Markus [Auteur]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de l’ouvrage :
Compound Semiconductors, 26, 1
Date de publication :
2020-01
Mot(s)-clé(s) en anglais :
GaN
RF devices
RF devices
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Combining AlN or InAlN barriers with SiN passivation layers leads to exceptional performance for GaN RF devices, regardless of the choice of substrate.Combining AlN or InAlN barriers with SiN passivation layers leads to exceptional performance for GaN RF devices, regardless of the choice of substrate.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Oui
Source :