Bias-dependence of surface charge at low ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/CDE52135.2021.9455737
Titre :
Bias-dependence of surface charge at low temperature in GaN self-switching diodes
Auteur(s) :
Perez-Martin, E. [Auteur]
Iniguez-De-La-Torre, I. [Auteur]
Gonzalez, T. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Mateos, J. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021
Ville :
Sevilla
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2021-06-09
Titre de l’ouvrage :
2021 13th Spanish Conference on Electron Devices (CDE)
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Date de publication :
2021
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Gallium Nitride
Monte Carlo simulation
Self-Switching Diode
surface effects
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this work, with the help of a semi-classical two-dimensional Monte Carlo (MC) simulator, we study the DC current-voltage curves of Self-Switching Diodes (SSDs) fabricated on an AlGaN/GaN heterostructure from 100 K up ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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