An Accurate Dual-Gate HFET Nonlinear Model ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
An Accurate Dual-Gate HFET Nonlinear Model for Millimeter-Wave MMIC Design
Auteur(s) :
Allam, Rachid [Auteur]
Laboratoire d'automatique et d'informatique industrielle [EA 1219] [LAII [Poitiers]]
Kolanowski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jaeger, J. C. De [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire d'automatique et d'informatique industrielle [EA 1219] [LAII [Poitiers]]
Kolanowski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jaeger, J. C. De [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
International Journal of Microwave and Millimeter-Wave Computer-Aided Engineering
Pagination :
315--320
Éditeur :
John Wiley & Sons
Date de publication :
1998
ISSN :
1050-1827
Discipline(s) HAL :
Informatique [cs]
Résumé en anglais : [en]
An accurate nonlinear model for dual-gate HFETs is presented in this paper. Because of the complexity of the global equivalent circuit, the dual-gate transistor is modeled as two single-gate devices in cascode configuration. ...
Lire la suite >An accurate nonlinear model for dual-gate HFETs is presented in this paper. Because of the complexity of the global equivalent circuit, the dual-gate transistor is modeled as two single-gate devices in cascode configuration. A good agreement between the measured and simulated performance is obtained, and its validity is proved as it was used for the design of an MMIC mixer at V-band. Lire moins >
Lire la suite >An accurate nonlinear model for dual-gate HFETs is presented in this paper. Because of the complexity of the global equivalent circuit, the dual-gate transistor is modeled as two single-gate devices in cascode configuration. A good agreement between the measured and simulated performance is obtained, and its validity is proved as it was used for the design of an MMIC mixer at V-band. Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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