[Invited] SOI-based opto-mechanical Terahertz ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
[Invited] SOI-based opto-mechanical Terahertz bolometer operating at room temperature with microsecond response time
Auteur(s) :
Froberger, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Walter, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lavancier, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Peretti, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Barbieri, Stefano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Walter, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lavancier, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Peretti, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Barbieri, Stefano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
2021 46th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Ville :
Chengdu
Pays :
Chine
Date de début de la manifestation scientifique :
2021-08-29
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2021
Mot(s)-clé(s) en anglais :
bolometers
cantilevers
dipole antennas
elemental semiconductors
optical sensors
silicon
silicon-on-insulator
submillimetre wave antennas
submillimetre wave detectors
submillimetre wave measurement
terahertz wave detectors
cantilevers
dipole antennas
elemental semiconductors
optical sensors
silicon
silicon-on-insulator
submillimetre wave antennas
submillimetre wave detectors
submillimetre wave measurement
terahertz wave detectors
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We report the operation of a Terahertz (THz) detector exploiting the bi-material effect to resonantly excite a cantilever (CL) of micrometric size. The detector is fabricated on a SOI substrate and coupling to the incident ...
Lire la suite >We report the operation of a Terahertz (THz) detector exploiting the bi-material effect to resonantly excite a cantilever (CL) of micrometric size. The detector is fabricated on a SOI substrate and coupling to the incident THz radiation is obtained using two coupled aluminum half-dipole antennas. The induced CL deflection is readout optically with a 1.5 µ m laser. At 300K and 2.5THz, we obtain a peak responsivity of ~2 x 10 8 pm/W for the fundamental bending mode. This yields a NEP of ~20nW/Hz 1/2 at 2.5THz, i.e. of ~2nW/Hz 1/2 at 3.8THz, corresponding to the antenna peak absorption. Finally, the low mechanical quality factor of the mode grants a broad frequency response of approximately 100kHz, i.e. a response time of ~10 μs.Lire moins >
Lire la suite >We report the operation of a Terahertz (THz) detector exploiting the bi-material effect to resonantly excite a cantilever (CL) of micrometric size. The detector is fabricated on a SOI substrate and coupling to the incident THz radiation is obtained using two coupled aluminum half-dipole antennas. The induced CL deflection is readout optically with a 1.5 µ m laser. At 300K and 2.5THz, we obtain a peak responsivity of ~2 x 10 8 pm/W for the fundamental bending mode. This yields a NEP of ~20nW/Hz 1/2 at 2.5THz, i.e. of ~2nW/Hz 1/2 at 3.8THz, corresponding to the antenna peak absorption. Finally, the low mechanical quality factor of the mode grants a broad frequency response of approximately 100kHz, i.e. a response time of ~10 μs.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
oral session Infrared and THz Photodetectors 2
Source :