Titre :

GaN Schottky diode on sapphire substrate for THz frequency multiplier applications

Auteur(s) :

Di Gioia, Giuseppe [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Samnouni, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chinni, Vinay Kumar [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mondal, Priyanka [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres [LERMA]
Treuttel, Jeanne [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique et Atmosphères = Laboratory for Studies of Radiation and Matter in Astrophysics and Atmospheres [LERMA]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]

Titre de la revue :

Superlattices and Microstructures

Pagination :

107116

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2022-04

ISSN :

0749-6036

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Frequency multiplier
GaN
Schottky diode
THz

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Résumé en anglais : [en]

Gallium Nitride, because of its high breakdown field, and peak and saturated electron drift velocity, high chemical stability and high thermal conductivity, is a very promising material as candidate for Schottky varactor ...
Lire la suite >Gallium Nitride, because of its high breakdown field, and peak and saturated electron drift velocity, high chemical stability and high thermal conductivity, is a very promising material as candidate for Schottky varactor diodes for next-generation high-power frequency multipliers. Similarly to the huge interest in the field of HEMT for high frequency and power application, GaN Schottky diodes is of a high interest for the next technological step for frequency multipliers for THz generations, replacing GaAs Schottky diodes. Due to a lack of research focused on GaN Schottky diodes for frequency multiplication, the design and fabrication of GaN frequency multipliers remains a technological challenge. In this paper, we present GaN Schottky diodes fabricated on a heteroepitaxial GaN on sapphire. The barrier height obtained is around 0.53 eV, and it increases up to 0.73 eV after Schottky contact annealing; and the ideality factor is equal to 1.1 before annealing and 1.2 after annealing. The resulting series resistance is very low, 7Ω and 1Ω, before and after annealing, respectively. © 2021 Elsevier LtdLire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Diodes Schottky GaN pour la génération de signaux THz

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL