Titre :

In-plane InGaAs/Ga(As)Sb nanowire based tunnel junctions grown by selective area molecular beam epitaxy

Auteur(s) :

Bucamp, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Diallo, M [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Haddadi, Kamel [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]

Titre de la revue :

Nanotechnology

Pagination :

145201

Éditeur :

Institute of Physics

Date de publication :

2022

ISSN :

0957-4484

Mot(s)-clé(s) en anglais :

selective area growth
molecular beam epitaxy
in-plane nanowire
Esaki tunnel diodes

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

In-plane InGaAs/Ga(As)Sb heterojunction tunnel diodes are fabricated by selective area molecular beam epitaxy with two different architectures: either radial InGaAs core/Ga(As)Sb shell nanowires or axial InGaAs/GaSb ...
Lire la suite >In-plane InGaAs/Ga(As)Sb heterojunction tunnel diodes are fabricated by selective area molecular beam epitaxy with two different architectures: either radial InGaAs core/Ga(As)Sb shell nanowires or axial InGaAs/GaSb heterojunctions. In the former case, we unveil the impact of strain relaxation and alloy composition fluctuations at the nanoscale on the tunneling properties of the diodes, whereas in the latter case we demonstrate that template assisted molecular beam epitaxy can be used to achieve a very precise control of tunnel diodes dimensions at the nanoscale with a scalable process. In both cases, negative differential resistances with large peak current densities are achieved.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Microscopie electronique en transmission sur le plateau Palaiseau Orsay Saclay

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL