Noise and transit time in ungated FET structures

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1109/16.644625
Titre :
Noise and transit time in ungated FET structures
Auteur(s) :
Mateos, J. [Auteur]
Gonzalez, T. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Tadyszak, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
2128-2135
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
1997-12
ISSN :
0018-9383
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL