Anisotropic mobility in AlGaN/GaN ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Anisotropic mobility in AlGaN/GaN heterostructure with thin GaN on AlN/Sapphire template
Author(s) :
Bassaler, Julien [Auteur]
Semi-conducteurs à large bande interdite [NEEL - SC2G]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougerol, C. [Auteur]
Nanophysique et Semiconducteurs [NEEL - NPSC]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ferrandis, Philippe [Auteur]
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence [IM2NP]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Université de Toulon [UTLN]
Conference title :
WOCSDICE EXMATEC 2022
City :
Ponta Delgada
Country :
Portugal
Start date of the conference :
2022-05-03
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Réseau national sur GaN
Collections :
Source :
Harvested from HAL