Temperature monitoring of short-gate length ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Temperature monitoring of short-gate length AlGaN/GaN HEMT via an integrated sensor
Auteur(s) :
Cozette, Flavien [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cutivet, Adrien [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maher, Hassan [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Hassan, Maher, [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cutivet, Adrien [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maher, Hassan [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Hassan, Maher, [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Titre de la manifestation scientifique :
48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018)
Ville :
Dresden
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-09-03
Éditeur :
IEEE
Mot(s)-clé(s) en anglais :
HEMT
GaN
Sensor
Temperature
GaN
Sensor
Temperature
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
This paper describes a new method to measure AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) operating temperature in devices dedicated to RF application. A resistive nickel temperature sensor is integrated into HEMT ...
Lire la suite >This paper describes a new method to measure AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) operating temperature in devices dedicated to RF application. A resistive nickel temperature sensor is integrated into HEMT active area. The technological process development permits to integrate the sensor close to the transistor hot spot providing HEMT temperature under operation. A maximal temperature of 68°C is extracted for a dissipated power of 3.5 W/ mm corresponding to a thermal resistance of 10.6 Kmm/W. This new method shows the capability to monitor component self-heating in real time and to predict its failure. Furthermore, it is shown that the sensor has no influence on DC HEMT electrical behavior and its impact on current and power cutoff frequencies is negligible.Lire moins >
Lire la suite >This paper describes a new method to measure AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) operating temperature in devices dedicated to RF application. A resistive nickel temperature sensor is integrated into HEMT active area. The technological process development permits to integrate the sensor close to the transistor hot spot providing HEMT temperature under operation. A maximal temperature of 68°C is extracted for a dissipated power of 3.5 W/ mm corresponding to a thermal resistance of 10.6 Kmm/W. This new method shows the capability to monitor component self-heating in real time and to predict its failure. Furthermore, it is shown that the sensor has no influence on DC HEMT electrical behavior and its impact on current and power cutoff frequencies is negligible.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :