Title :

Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors

Author(s) :

El Fatimy, Abdelouahad [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Boubanga Tombet, Stephane [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Veksler, D. B. [Auteur]
Rumyantsev, S. [Auteur]
Shur, M. S. [Auteur]
Pala, N. [Auteur]
Gaska, R. [Auteur]
Fareed, Q. [Auteur]
Hu, X. [Auteur]
Seliuta, D. [Auteur]
Valusis, G. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Electronics Letters

Pages :

1342-1344

Publisher :

IET

Publication date :

2006

ISSN :

0013-5194

English keyword(s) :

FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RESONANT DETECTION
SUB-TERAHERTZ
PLASMA-WAVES
RADIATION

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

English abstract : [en]

Detection of subterahertz and terahertz radiation by high electron mobility GaN/AlGaN transistors in the 0.2-2.5 THz frequency range (much higher than the cutoff frequency of the transistors) is reported. Experiments were ...
Show more >Detection of subterahertz and terahertz radiation by high electron mobility GaN/AlGaN transistors in the 0.2-2.5 THz frequency range (much higher than the cutoff frequency of the transistors) is reported. Experiments were performed in the temperature range 4-300 K For the lowest temperatures, a resonant response was observed. The resonances were interpreted as plasma wave excitations in gated two-dimensional electron gas. Non-resonant detection was observed at temperatures above 100 K. Estimates for noise equivalent power show that these transistors can be used as efficient detectors of terahertz radiation at cryogenic and room temperatures.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL