Titre :

High-speed photodiodes on silicon nitride with a bandwidth beyond 100 GHz

Auteur(s) :

Maes, Dennis [Auteur correspondant]
Department of Information Technology [INTEC]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Reis, Luis [Auteur]
Department of Information Technology [INTEC]
Poelman, Stijn [Auteur]
Department of Information Technology [INTEC]
Vissers, Ewoud [Auteur]
Department of Information Technology [INTEC]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Roelkens, Gunther [Auteur]
Department of Information Technology [INTEC]
Lemey, Sam [Auteur]
Department of Information Technology [INTEC]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Kuyken, Bart [Auteur]
Photonics Research Group
Department of Information Technology [INTEC]

Titre de la manifestation scientifique :

CLEO: Science and Innovations 2022

Organisateur(s) de la manifestation scientifique :

OSA

Ville :

San Jose, CA

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2022-05-15

Titre de l’ouvrage :

Proceedings Conference on Lasers and Electro-Optics

Éditeur :

Optica Publishing Group

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

Résumé en anglais : [en]

Next-generation telecommunication systems will rely on photonic integrated circuits. However, Silicon Nitride (SiN) photonic platforms do not natively provide high-speed photodiodes. We integrated a waveguide-coupled UTC ...
Lire la suite >Next-generation telecommunication systems will rely on photonic integrated circuits. However, Silicon Nitride (SiN) photonic platforms do not natively provide high-speed photodiodes. We integrated a waveguide-coupled UTC photodiode on a SiN platform using the scalable micro-transfer-printing technology. These diodes show a responsivity up to 0 . 45 A/W, a dark current below 10 nA and a 3 dB-bandwidth beyond 100 GHz, even at zero-bias. As such, high-performance photodetectors are available on silicon-nitride photonic platforms.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Commentaire :

Session Photodetection (SM3K)

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL