Titre :

SOI-based micro-mechanical terahertz detector operating at room-temperature and atmospheric pressure

Auteur(s) :

Froberger, Kevin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Walter, Benjamin [Auteur]
Vmicro SAS
Lavancier, Melanie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Peretti, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Barbieri, Stefano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

261103

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2022-06-27

ISSN :

0003-6951

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Antennas
Terahertz detectors
Silicon-on-insulator
Thermal effects

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We present a micro-mechanical terahertz (THz) detector fabricated on a silicon on insulator substrate and operating at room-temperature. The device is based on a U-shaped cantilever of micrometric size, on top of which two ...
Lire la suite >We present a micro-mechanical terahertz (THz) detector fabricated on a silicon on insulator substrate and operating at room-temperature. The device is based on a U-shaped cantilever of micrometric size, on top of which two aluminum half-wave dipole antennas are deposited. This produces an absorption extending over the [Formula: see text] THz frequency range. Due to the different thermal expansion coefficients of silicon and aluminum, the absorbed radiation induces a deformation of the cantilever, which is read out optically using a 1.5 μm laser diode. By illuminating the detector with an amplitude modulated, 2.5 THz quantum cascade laser, we obtain, at room-temperature and atmospheric pressure, a responsivity of [Formula: see text] for the fundamental mechanical bending mode of the cantilever. This yields noise-equivalent-power of [Formula: see text] at 2.5 THz. Finally, the low mechanical quality factor of the mode grants a broad frequency response of approximately 150 kHz bandwidth, with a thermal response time of ∼ 2.5 μs.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL