Title :

Sub-Micron thick Step-Graded AlGaN Buffer on Silicon with a Buffer Breakdown Field Higher Than 6 MV/cm

Author(s) :

Carneiro, Elodie [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Rennesson, Stéphane [Auteur]
EasyGaN
Tamariz, S. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Conference title :

International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022

City :

Berlin

Country :

Allemagne

Start date of the conference :

2022-10-09

Book title :

Proceeding of IWN2022

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL