Title :

GeTe thermal characterization with 3-omega and Raman thermometry methods

Author(s) :

Mercier, C. [Auteur correspondant]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Patil, A. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Canosa Diaz, J. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jerez-Garcia, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Brouillard, M. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Monfray, S. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Fleury, A. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Reig, B. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
JUNIA [JUNIA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Cresson, Pierre-Yves [Auteur correspondant]
Microtechnology and Instrumentation for Thermal and Electromagnetic Characterization - IEMN [MITEC - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur]
JUNIA [JUNIA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]

Conference title :

Workshop for Multi-Functional Materials 2023

City :

Valenciennes

Country :

France

Start date of the conference :

2023-06-27

Publication date :

2023-06-27

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Physique [physics]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

English abstract : [en]

Recently, Phase-Change Material technologies are emerging as a potential solution [1-3]. These switches leverage the high electrical conductivity contrast (10 6) between the amorphous and crystalline phases of a chalcogenide ...
Show more >Recently, Phase-Change Material technologies are emerging as a potential solution [1-3]. These switches leverage the high electrical conductivity contrast (10 6) between the amorphous and crystalline phases of a chalcogenide material such as GeTe. Their performance could increase the metric fc=1/(2πRONCOFF) by a factor 5 with respect to RF-SOI technologies. In order to have more accurate thermal phase transitions representations for the modeling of those devices, it is important to measure the thermal properties of the materials used. In this work, we present the 3-omega electrothermal and Raman thermometry measurement results, both allowing the extraction of the thermal conductivities of phase-change materials such as GeTe or GeSbTe.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Effets électriques sur les résistances thermiques d'interface

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL