Titre :

RF Performances and De-Embedding Techniques of Passive Devices in 3D Homogeneous Integration at Sub-THz

Auteur(s) :

Oliveira, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]

Titre de la manifestation scientifique :

2023 53rd European Microwave Conference (EuMC)

Ville :

Berlin

Pays :

Allemagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2023-09-19

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

3D homogeneous integrated device
sub-THz
passive components
characterization
calibration techniques
de-embedding techniques
copper pillar

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In this paper, passive devices integrated in the top-tier level of a 3D homogeneous integration are characterized up to 220 GHz. A three steps de-embedding process is performed to remove 1.5 mm access line and 25μm vertical ...
Lire la suite >In this paper, passive devices integrated in the top-tier level of a 3D homogeneous integration are characterized up to 220 GHz. A three steps de-embedding process is performed to remove 1.5 mm access line and 25μm vertical Cu-pillars parasitic contribution. This process will enable to separate the technology from the millimeter-wave measurement. To validate the technique two different devices: a transmission line and an inductor are studied and compared to stand-alone planar reference device at sub-THz.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL