Titre :

[Award] Sub-micron thick AlN/GaN-on-Si HEMTs grown by MBE with reduced trapping effects and superior blocking voltage for RF applications

Auteur(s) :

Carneiro, Elodie [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Rennesson, Stéphanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tamariz, Sebastian [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hammou, Lyes Ben [Auteur]
Harrouche, Kathia [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)

Ville :

Nagoya

Pays :

Japon

Date de début de la manifestation scientifique :

2023-11-12

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Commentaire :

ED11-2 （Oral）PRICE: BEST STUDENT AWARD

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL