Title :

TCAD Simulations of graphene field-effect transistors based on the quantum capacitance effect

Author(s) :

Hafsi, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boubaker, Aïmen [Auteur]
Ismaïl, Naoufel [Auteur]
Kalboussi, Adel [Auteur]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Journal of the Korean Physical Society

Pages :

1201-1207

Publisher :

Korean physical society

Publication date :

2015-12-03

ISSN :

0374-4884

HAL domain(s) :

Physique [physics]

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL