Single electron transistor: Energy-level ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution
Auteur(s) :
Nasri, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Boubaker, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Khaldi, W. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Hafsi, Bilel [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kalboussi, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Boubaker, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Khaldi, W. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Hafsi, Bilel [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kalboussi, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Titre de la revue :
Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors
Pagination :
1656-1660
Éditeur :
MAIK Nauka/Interperiodica
Date de publication :
2017-12-08
ISSN :
1063-7826
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :