Single electron transistor: Energy-level ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1134/S1063782617120144
Title :
Single electron transistor: Energy-level broadening effect and thermionic contribution
Author(s) :
Nasri, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Boubaker, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Khaldi, W. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Hafsi, Bilel [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kalboussi, A. [Auteur]
Université de Monastir - University of Monastir [UM]
Journal title :
Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors
Pages :
1656-1660
Publisher :
MAIK Nauka/Interperiodica
Publication date :
2017-12-08
ISSN :
1063-7826
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL