Titre :

N-type polymeric organic flash memory device: Effect of reduced graphene oxide floating gate

Auteur(s) :

Hafsi, B. [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boubaker, A. [Auteur]
Guérin, David [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Lenfant, Stephane [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kalboussi, A. [Auteur]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Organic Electronics

Pagination :

81-88

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2017-06

ISSN :

1566-1199

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Chimie

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL