Blocking of indium incorporation by antimony ...
Type de document :
Article dans une revue scientifique
URL permanente :
Titre :
Blocking of indium incorporation by antimony in III–V-Sb nanostructures
Auteur(s) :
Sanchez, A M [Auteur]
Universidad de Cádiz = University of Cádiz [UCA]
Beltran, A M [Auteur]
Universidad de Cádiz = University of Cádiz [UCA]
Beanland, R [Auteur]
University of Warwick [Coventry]
Ben, T [Auteur]
Universidad de Cádiz = University of Cádiz [UCA]
Gass, M H [Auteur]
de la Peña, Francisco [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Walls, M [Auteur]
Taboada, A G [Auteur]
Ripalda, J M [Auteur]
Molina, S I [Auteur]
Universidad de Cádiz = University of Cádiz [UCA]
Beltran, A M [Auteur]
Universidad de Cádiz = University of Cádiz [UCA]
Beanland, R [Auteur]
University of Warwick [Coventry]
Ben, T [Auteur]
Universidad de Cádiz = University of Cádiz [UCA]
Gass, M H [Auteur]
de la Peña, Francisco [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Walls, M [Auteur]
Taboada, A G [Auteur]
Ripalda, J M [Auteur]
Molina, S I [Auteur]
Titre de la revue :
Nanotechnology
Nom court de la revue :
Nanotechnology
Numéro :
21
Pagination :
145606
Éditeur :
IOP Publishing
Date de publication :
2010-03-10
ISSN :
0957-4484
Discipline(s) HAL :
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Physique [physics]/Géophysique [physics.geo-ph]
Physique [physics]/Astrophysique [astro-ph]
Planète et Univers [physics]/Astrophysique [astro-ph]
Planète et Univers [physics]/Sciences de la Terre
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Physique [physics]/Géophysique [physics.geo-ph]
Physique [physics]/Astrophysique [astro-ph]
Planète et Univers [physics]/Astrophysique [astro-ph]
Planète et Univers [physics]/Sciences de la Terre
Résumé en anglais : [en]
The addition of antimony to III–V nanostructures is expected to give greater freedom in bandgap engineering for device applications. One of the main challenges to overcome is the effect of indium and antimony surface ...
Lire la suite >The addition of antimony to III–V nanostructures is expected to give greater freedom in bandgap engineering for device applications. One of the main challenges to overcome is the effect of indium and antimony surface segregation. Using several very high resolution analysis techniques we clearly demonstrate blocking of indium incorporation by antimony. Furthermore, indium incorporation resumes when the antimony concentration drops below a critical level. This leads to major differences between nominal and actual structures.Lire moins >
Lire la suite >The addition of antimony to III–V nanostructures is expected to give greater freedom in bandgap engineering for device applications. One of the main challenges to overcome is the effect of indium and antimony surface segregation. Using several very high resolution analysis techniques we clearly demonstrate blocking of indium incorporation by antimony. Furthermore, indium incorporation resumes when the antimony concentration drops below a critical level. This leads to major differences between nominal and actual structures.Lire moins >
Langue :
Anglais
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Établissement(s) :
Université de Lille
CNRS
INRAE
ENSCL
CNRS
INRAE
ENSCL
Collections :
Équipe(s) de recherche :
Matériaux Terrestres et Planétaires
Date de dépôt :
2024-02-01T14:11:57Z
2024-02-02T10:44:30Z
2024-02-02T10:44:30Z