fmax = 800 GHz with 75 nm gate length and ...

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Autre communication scientifique
Titre :
fmax = 800 GHz with 75 nm gate length and asymmetric gate recess forInGaAs/InAlAs PHEMT
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
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Source :
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