Title :

Charge carrier profiling with MIR and THz s-SNOM

Author(s) :

Santos, Cristiane [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lebouvier, Édouard [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Walter, Benjamin [Auteur]
Eliet, Sophie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Chevalier, Nicolas [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Hartmann, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Peretti, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Faucher, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

City :

Montreal

Country :

Canada

Start date of the conference :

2023-09-17

Book title :

International Conference on Infrared and Millimeter Waves

Publisher :

IEEE

Publication date :

2023-09-23

English keyword(s) :

Optical microscopy
Charge carriers
Microscopy
Optical sensors
Optical scattering
Spatial resolution
Probes

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]

English abstract : [en]

In the past years, it has been shown that s-SNOM (scattering-type scanning near-field optical microscopy) is a powerful technique to probe different light-matter interactions. Among them, charge carriers present different ...
Show more >In the past years, it has been shown that s-SNOM (scattering-type scanning near-field optical microscopy) is a powerful technique to probe different light-matter interactions. Among them, charge carriers present different optical responses in the mid-infrared (MIR) and terahertz (THz) regions. Here we show that THz s-SNOM is highly sensitive to small changes in charge carrier concentration in a semiconductor, with spatial resolution at the nanometer scale.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Microscope champ proche hyperspectral dans la gamme TéraHertz étendue
Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL