Titre :

Depth Profiling Charge Accumulation from a Ferroelectric into a Doped Mott Insulator

Auteur(s) :

Marinova, Maya [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Rault, Julien E. [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
Gloter, Alexandre [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Nemsak, Slavomir [Auteur]
Palsson, Gunnar K. [Auteur]
Institut Laue-Langevin [ILL]
Rueff, Jean-Pascal [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
Fadley, Charles S. [Auteur]
Carrétéro, Cécile [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Yamada, Hiroyuki [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
March, Katia [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Garcia, Vincent [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Fusil, Stéphane [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Barthélémy, Agnès [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Stéphan, Odile [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Colliex, Christian [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Bibes, Manuel [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)

Titre de la revue :

Nano Letters

Numéro :

15

Pagination :

2533-2541

Date de publication :

2015

Discipline(s) HAL :

Chimie

Résumé en anglais : [en]

The electric field control of functional properties is a crucial goal in oxide-based electronics. Nonvolatile switching between different resistivity or magnetic states in an oxide channel can be achieved through charge ...
Lire la suite >The electric field control of functional properties is a crucial goal in oxide-based electronics. Nonvolatile switching between different resistivity or magnetic states in an oxide channel can be achieved through charge accumulation or depletion from an adjacent ferroelectric. However, the way in which charge distributes near the interface between the ferroelectric and the oxide remains poorly known, which limits our understanding of such switching effects. Here, we use a first-of-a-kind combination of scanning transmission electron microscopy with electron energy loss spectroscopy, near-total-reflection hard X-ray photoemission spectroscopy, and ab initio theory to address this issue. We achieve a direct, quantitative, atomic-scale characterization of the polarization-induced charge density changes at the interface between the ferroelectric BiFeO3 and the doped Mott insulator Ca1–xCexMnO3, thus providing insight on how interface-engineering can enhance these switching effects.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet Européen :

Enabling Science and Technology through European Electron Microscopy

Projet ANR :

Nouvelles interfaces magnétoélectriques pour la spintronique faible puissance

Collections :

• Autres travaux scientifiques

Date de dépôt :

2019-06-17T08:43:20Z
2020-03-09T17:25:08Z