Heavily p-Type Doping of Bulk 6H-SiC and ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.59
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/11519
Title :
Heavily p-Type Doping of Bulk 6H-SiC and 3C-SiC Grown from Al-Si Melts
Author(s) :
Mercier, Frédéric [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Galben-Sandulache, Irina G. [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Marinova, Maya [Auteur] refId
Department of Physics [Thessaloniki]
Zoulis, Georgios [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Ouisse, Thierry [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Polychroniadis, Efstathios K. [Auteur]
Department of Physics [Thessaloniki]
Chaussende, Didier [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Journal title :
Materials Science Forum
Volume number :
645-648
Pages :
59-62
Publication date :
2010
ISSN :
1662-9752
English keyword(s) :
Liquid Phase Epitaxy (LPE)
Raman Spectroscopy
TEM
HAL domain(s) :
Chimie/Matériaux
English abstract : [en]
We report in this work, the solution growth of heavily p-type doped 3C-SiC and 6H-SiC. Description of the 3C and 6H-SiC crystals in terms of defects and resistivity are presented and discussed with respect to growth ...
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Language :
Anglais
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Submission date :
2019-06-17T08:43:29Z
2020-03-17T16:07:28Z
Version history
VersionLinkModification date
220.500.12210/11519*2020-03-17T16:00:42Z
120.500.12210/11519.12019-06-17T08:43:29Z

*Selected version