InGaAs quantum dot chains grown by twofold ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
InGaAs quantum dot chains grown by twofold selective area molecular beam epitaxy
Author(s) :
Barbot, Clément [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Rondeau-Body, Claire [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Deblock, Yves [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tilmant, Pascal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Vaurette, François [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thomas, Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Diesinger, Heinrich [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Capiod, Pierre [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
JUNIA [JUNIA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
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EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Rondeau-Body, Claire [Auteur]
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Coinon, Christophe [Auteur]
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Diesinger, Heinrich [Auteur]

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Capiod, Pierre [Auteur]

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Desplanque, Ludovic [Auteur]

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Grandidier, Bruno [Auteur]

Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Nanotechnology
Publisher :
Institute of Physics
Publication date :
2024-07-15
ISSN :
0957-4484
English keyword(s) :
selective area epitaxy semiconductor nanowire quantum dot chain
selective area epitaxy
semiconductor nanowire
quantum dot chain
selective area epitaxy
semiconductor nanowire
quantum dot chain
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Increasing quantum confinement in semiconductor quantum dot (QD) systems is essential to perform robust simulations of many-body physics. By combining molecular beam epitaxy and lithographic techniques, we developed an ...
Show more >Increasing quantum confinement in semiconductor quantum dot (QD) systems is essential to perform robust simulations of many-body physics. By combining molecular beam epitaxy and lithographic techniques, we developed an approach consisting of a twofold selective area growth to build QD chains. Starting from 15 nm-thick and 65 nm-wide in-plane In0.53Ga0.47As nanowires on InP substrates, linear arrays of In0.53Ga0.47As QDs were grown on top, with tunable lengths and separations. Kelvin probe force microscopy performed at room temperature revealed a change of quantum confinement in chains with decreasing QD sizes, which was further emphasized by the spectral shift of quantum levels resolved in the conduction band with low temperature scanning tunneling spectroscopy. This approach, which allows the controlled formation of 25 nm-thick QDs with a minimum length and separation of 30 nm and 22 nm respectively, is suitable for the construction of scalable fermionic quantum lattices.Show less >
Show more >Increasing quantum confinement in semiconductor quantum dot (QD) systems is essential to perform robust simulations of many-body physics. By combining molecular beam epitaxy and lithographic techniques, we developed an approach consisting of a twofold selective area growth to build QD chains. Starting from 15 nm-thick and 65 nm-wide in-plane In0.53Ga0.47As nanowires on InP substrates, linear arrays of In0.53Ga0.47As QDs were grown on top, with tunable lengths and separations. Kelvin probe force microscopy performed at room temperature revealed a change of quantum confinement in chains with decreasing QD sizes, which was further emphasized by the spectral shift of quantum levels resolved in the conduction band with low temperature scanning tunneling spectroscopy. This approach, which allows the controlled formation of 25 nm-thick QDs with a minimum length and separation of 30 nm and 22 nm respectively, is suitable for the construction of scalable fermionic quantum lattices.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :