Integration of InP Based Double Heterojunction ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Integration of InP Based Double Heterojunction Bipolar Transistor on Silicon Interposer and Associated RF Characterization
Author(s) :
Oliveira, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Divay, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Boutry, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Mourier, T. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Berger, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Divay, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Boutry, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Mourier, T. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Berger, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Conference title :
2024 54th European Microwave Conference (EuMC)
City :
Paris
Country :
France
Start date of the conference :
2024-09-24
Publisher :
IEEE
English keyword(s) :
Indium Phosphide (InP)
Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT)
chiplet heterogeneous integration
flip chip assembly
μbumps interconnections
Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT)
chiplet heterogeneous integration
flip chip assembly
μbumps interconnections
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a ...
Show more >In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a flip-chip assembly based on Cu-Ni-SnAg μbumps. The validity and performance evaluation of the transferred DHBTs chips is highlighted by DC and RF measurements at an optimum bias point for a frequency sweep from 250MHz to 67GHz.Show less >
Show more >In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a flip-chip assembly based on Cu-Ni-SnAg μbumps. The validity and performance evaluation of the transferred DHBTs chips is highlighted by DC and RF measurements at an optimum bias point for a frequency sweep from 250MHz to 67GHz.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Source :