Titre :

Integration of InP Based Double Heterojunction Bipolar Transistor on Silicon Interposer and Associated RF Characterization

Auteur(s) :

Oliveira, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Divay, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Boutry, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Mourier, T. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Berger, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2024 54th European Microwave Conference (EuMC)

Ville :

Paris

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2024-09-24

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Indium Phosphide (InP)
Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT)
chiplet heterogeneous integration
flip chip assembly
μbumps interconnections

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a ...
Lire la suite >In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a flip-chip assembly based on Cu-Ni-SnAg μbumps. The validity and performance evaluation of the transferred DHBTs chips is highlighted by DC and RF measurements at an optimum bias point for a frequency sweep from 250MHz to 67GHz.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

THz transistoR EXperience for 6G

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL