Integration of InP Based Double Heterojunction ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Integration of InP Based Double Heterojunction Bipolar Transistor on Silicon Interposer and Associated RF Characterization
Auteur(s) :
Oliveira, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Divay, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Boutry, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Mourier, T. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Berger, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Valorge, O. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Divay, A. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Boutry, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Mourier, T. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Berger, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dubarry, C. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Lugo-Alvarez, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roelens, Yannick [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
2024 54th European Microwave Conference (EuMC)
Ville :
Paris
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2024-09-24
Éditeur :
IEEE
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Indium Phosphide (InP)
Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT)
chiplet heterogeneous integration
flip chip assembly
μbumps interconnections
Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT)
chiplet heterogeneous integration
flip chip assembly
μbumps interconnections
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a ...
Lire la suite >In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a flip-chip assembly based on Cu-Ni-SnAg μbumps. The validity and performance evaluation of the transferred DHBTs chips is highlighted by DC and RF measurements at an optimum bias point for a frequency sweep from 250MHz to 67GHz.Lire moins >
Lire la suite >In this paper, InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) dies based on standard process fabrication are transferred onto a Silicon interposer. The chiplet heterogeneous integration is performed with a flip-chip assembly based on Cu-Ni-SnAg μbumps. The validity and performance evaluation of the transferred DHBTs chips is highlighted by DC and RF measurements at an optimum bias point for a frequency sweep from 250MHz to 67GHz.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :