Title :

Effect of electronic doping on the plasticity of homoepitaxial 4H-SiC single crystals

Author(s) :

Demenet, J.L. [Auteur]
Amer, M [Auteur]
Mussi, Alexandre [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Rabier, Jacques [Auteur]

Conference title :

Extended Defects in Semiconductors

City :

Brighton

Country :

Royaume-Uni

Start date of the conference :

2010-09

Journal title :

Journal of Physics. Conference Series

Issue number :

281

Publication date :

2011

HAL domain(s) :

Planète et Univers [physics]/Sciences de la Terre
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Language :

Anglais

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Administrative institution(s) :

Université de Lille
ENSCL
CNRS
INRA

Collections :

• Unité Matériaux et Transformations (UMET) - UMR 8207

Research team(s) :

Plasticité

Submission date :

2019-05-16T15:14:49Z
2020-01-21T13:51:33Z