Titre :

Effect of electronic doping on the plasticity of homoepitaxial 4H-SiC single crystals

Auteur(s) :

Demenet, J.L. [Auteur]
Amer, M [Auteur]
Mussi, Alexandre [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Rabier, Jacques [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

Extended Defects in Semiconductors

Ville :

Brighton

Pays :

Royaume-Uni

Date de début de la manifestation scientifique :

2010-09

Titre de la revue :

Journal of Physics. Conference Series

Titre du fascicule / de la collection :

281

Date de publication :

2011

Discipline(s) HAL :

Planète et Univers [physics]/Sciences de la Terre
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Langue :

Anglais

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Établissement(s) :

Université de Lille
ENSCL
CNRS
INRA

Collections :

• Unité Matériaux et Transformations (UMET) - UMR 8207

Équipe(s) de recherche :

Plasticité

Date de dépôt :

2019-05-16T15:14:49Z
2020-01-21T13:51:33Z