SiC/GaN Power Semiconductor Devices ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Permalink :
Title :
SiC/GaN Power Semiconductor Devices Inter-electrode Capacitances Characterization Based on Multiple Current Probes
Author(s) :
Journal title :
EPE ECCE Europe
Publication date :
2013-09
Language :
Anglais
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Submission date :
2020-09-11T14:27:16Z